7月4日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法”的专利。申请公布号为CN122341221A，申请号为CN202610504645.1，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2026年4月16日，发明人李悦、眭小超，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）配资行业资讯网，专利代理师曹廷廷，分类号H10W46/00、H10P14/40、H10P76/20。
专利摘要显示，本发明提供了一种晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法，包括：若干阵列排布的芯片区和晶圆标识区，其中芯片区包括芯片图形区和芯片空白区，最下行的芯片图形区的底部具有空白区，部分芯片空白区位于空白区内；晶圆标识区位于最下行的芯片图形区的底部，且与部分空白区重叠形成重叠区，重叠区的宽度大于对晶圆标识区曝光时的对准偏差，股票配资，多空杠杆，股票配资平台，合规经营并且重叠区与最下行的芯片图形区的间距大于对晶圆标识区曝光时的对准偏差。本发明能够避免在芯片区和晶圆标识区之间产生金属残留，并避免曝光的工艺波动对芯片区产生影响。
芯联集成成立于2018年3月9日，于2023年5月10日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为浙江省绍兴市。该公司是国内在MEMS和功率器件领域提供一站式系统代工解决方案的领先企业。
芯联集成主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案。所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，涉及碳化硅、MCU概念、汽车芯片等概念板块。
2025年，芯联集成营业收入81.8亿元，在行业7家公司中排名第5，远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹宏力的172.91亿元，也低于行业平均数166.12亿元和中位数108.85亿元。其主营业务中，集成电路晶圆制造代工59.83亿元，占比73.15%；模组封装15.08亿元，占比18.43%。净利润方面，2025年为-19.33亿元，在行业7家公司中排名第7，与第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显，低于行业平均数9.67亿元和中位数4.66亿元。
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炒股配资加杠杆芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛2半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610603325.12026-05-06CN122138453A2026-06-02黄艳、赵晓燕3晶圆版图结构及晶圆结构的制备方法发明专利公布CN202610504645.12026-04-16CN122341221A2026-07-03李悦、眭小超4半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利公布CN202610420503.72026-04-01CN122340816A2026-07-03王强、孙金山、顾学强、宋苗苗5半导体器件的制备方法、半导体器件及芯片发明专利公布CN202610404592.62026-03-30CN122318834A2026-06-30徐鹏、张偲、王天然、张俊龙6半导体器件的制备方法及半导体器件发明专利公布CN202610400260.02026-03-30CN122340887A2026-07-03田淑芳、赵晓燕、黄艳7深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利实质审查的生效、公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文8电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文9封装打线应力监测结构、芯片封装结构及封装打线应力的监测方法发明专利公布CN202610350219.72026-03-20CN122318819A2026-06-30张坦、李婧、吴桥伟10半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳11LDMOS器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟12霍尔器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321598.72026-03-17CN121888864A2026-04-17黄艳、赵晓燕13套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀14半导体器件及其制作方法、芯片、电子设备发明专利公布CN202610319423.22026-03-16CN122318295A2026-06-30黄艳、赵晓燕15MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海16半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610264470.12026-03-05CN122301116A2026-06-30王曦17一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟18DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟19MEMS微镜及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏20半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊21垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼22一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕23滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋24MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋25MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏26高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪27半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛28深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭29用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆30负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩31封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能32一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶33电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏34一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶35输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰36一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文37一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭38晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽39一种MEMS加速度计及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511852166.02025-12-10CN121276091A2026-01-06马玉莎、张兆林、王红海40屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法发明专利公布CN202511837217.22025-12-08CN121645929A2026-03-10刘书晓、周圣杰41高压半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511834633.72025-12-08CN121310568B2026-03-24谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽42麦克风及其制造方法发明专利授权CN202511824007.X2025-12-05CN121262521B2026-03-31唐丽文43产品检测方法、装置、存储介质和电子设备发明专利授权CN202511823575.82025-12-05CN121276286B2026-05-01孙海丽、康栋、王颖、李鹏44RC-IGBT及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511808670.02025-12-03CN121310558A2026-01-09唐伟闻、余龙45纳米探针的修复方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810106.22025-12-03CN121522223A2026-02-13李帅46用于CESL特性测试的测试版图及测试结构发明专利公布CN202511764655.02025-11-27CN121568558A2026-02-24吴桥伟47基片背面缺陷标记方法及标记设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511753460.62025-11-26CN121616539A2026-03-06张良敏、许大建48虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511742208.52025-11-25CN121598081A2026-03-03康栋、孙海丽、王颖、李鹏49半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511682862.12025-11-17CN121548044A2026-02-17孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑50提高键合晶圆机械强度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511671695.02025-11-14CN121493865A2026-02-10陆晓龙、王红海、姚阳文配资行业资讯网
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